Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13

RS tilauskoodi: 146-4775PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMTH6016LSD-13
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

DMT

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

3.95mm

Length

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 @ 10 V nC

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,51

€ 0,651 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 8,17

€ 0,817 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,51

€ 0,651 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 8,17

€ 0,817 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

DMT

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

3.95mm

Length

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 @ 10 V nC

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja