Diodes Inc MMBTA28-7-F Dual NPN Darlington Transistor, 500 mA 80 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0005mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Width
1.4mm
Height
1mm
Length
3mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 93,00
€ 0,031 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 116,72
€ 0,039 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 93,00
€ 0,031 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 116,72
€ 0,039 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0005mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Width
1.4mm
Height
1mm
Length
3mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.