Diodes Inc P-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V, 3-Pin E-Line ZVP2106A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
E-Line
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.77mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,42
€ 0,742 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,31
€ 0,931 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 7,42
€ 0,742 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,31
€ 0,931 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 30 | € 0,742 | € 7,42 |
| 40 - 190 | € 0,67 | € 6,70 |
| 200 - 990 | € 0,595 | € 5,95 |
| 1000 - 1990 | € 0,518 | € 5,18 |
| 2000+ | € 0,446 | € 4,46 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
E-Line
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.77mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.