Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin TDSON BSC010N04LSATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 19,00
€ 1,90 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,84
€ 2,384 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 19,00
€ 1,90 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,84
€ 2,384 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,90 | € 19,00 |
| 50 - 90 | € 1,80 | € 18,00 |
| 100 - 240 | € 1,75 | € 17,50 |
| 250 - 490 | € 1,65 | € 16,50 |
| 500+ | € 1,55 | € 15,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.