Infineon IFF600B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V ECONOD
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
600 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Package Type
ECONOD
Configuration
Dual
Channel Type
N
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 254,00
€ 254,00 kpl (ilman ALV)
€ 318,77
€ 318,77 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 254,00
€ 254,00 kpl (ilman ALV)
€ 318,77
€ 318,77 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 254,00 |
| 2 - 4 | € 246,00 |
| 5+ | € 236,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
600 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Package Type
ECONOD
Configuration
Dual
Channel Type
N
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.