Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 12 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB015N04NGATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
OptiMOS™ 3
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0015 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 700,00
€ 1,70 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 133,50
€ 2,134 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 1 700,00
€ 1,70 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 133,50
€ 2,134 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
OptiMOS™ 3
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0015 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.