Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 302 A, 40 V, 7-Pin PG-TO263-7 IPF009N04NF2SATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
302 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 720,00
€ 2,15 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 158,60
€ 2,698 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
€ 1 720,00
€ 2,15 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 158,60
€ 2,698 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
302 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.