Infineon N-Channel MOSFET, 109 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R017C7XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
109 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.017 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 534,00
€ 17,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 670,17
€ 22,339 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 534,00
€ 17,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 670,17
€ 22,339 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 17,80 | € 534,00 |
| 60+ | € 16,90 | € 507,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
109 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.017 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.