Infineon Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 109 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1

RS tilauskoodi: 220-7457PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPW60R099P6XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

109 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ P6

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4..5V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 61,00

€ 6,10 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 76,56

€ 7,656 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

Infineon Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 109 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 61,00

€ 6,10 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 76,56

€ 7,656 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

Infineon Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 109 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
10 - 18€ 6,10€ 12,20
20 - 48€ 5,70€ 11,40
50 - 98€ 5,30€ 10,60
100+€ 4,95€ 9,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

109 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ P6

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4..5V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja