Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF

RS tilauskoodi: 168-6028Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRLB8314PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

171 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TO-220AB

Series

HEXFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

4.83mm

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
€ 0,628kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 42,95

€ 0,859 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 53,90

€ 1,078 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF

€ 42,95

€ 0,859 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 53,90

€ 1,078 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 50€ 0,859€ 42,95
100 - 200€ 0,67€ 33,50
250 - 450€ 0,644€ 32,20
500 - 1200€ 0,61€ 30,50
1250+€ 0,542€ 27,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
€ 0,628kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

171 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TO-220AB

Series

HEXFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

4.83mm

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
€ 0,628kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)