IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
HiperFET
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
25.07mm
Length
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
335 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
9.6mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 59,50
€ 59,50 kpl (ilman ALV)
€ 74,67
€ 74,67 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 59,50
€ 59,50 kpl (ilman ALV)
€ 74,67
€ 74,67 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
HiperFET
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
25.07mm
Length
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
335 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
9.6mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.