IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT, 430 A 650 V, 3-Pin TO-247AD, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
430 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
625 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247AD
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
5 → 30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
5.2mJ
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 366,00
€ 12,20 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 459,33
€ 15,311 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 366,00
€ 12,20 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 459,33
€ 15,311 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
430 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
625 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247AD
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
5 → 30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
5.2mJ
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.