onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002KW

RS tilauskoodi: 805-1135Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: 2N7002KW
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

2.92mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Height

1.2mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002K
€ 0,1281 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 12,80

€ 0,128 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 16,06

€ 0,161 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002KW
Valitse pakkaustyyppi

€ 12,80

€ 0,128 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 16,06

€ 0,161 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002KW
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Nauha
100 - 400€ 0,128€ 12,80
500 - 900€ 0,111€ 11,10
1000+€ 0,096€ 9,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002K
€ 0,1281 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

2.92mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Height

1.2mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002K
€ 0,1281 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)