STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IRF630
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-220
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 44,20
€ 0,884 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 55,47
€ 1,109 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 44,20
€ 0,884 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 55,47
€ 1,109 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-220
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.