STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 HV STL10N60M6

RS tilauskoodi: 192-4825Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STL10N60M6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

PowerFLAT 5 x 6 HV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

660 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5mm

Length

6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.8 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

0.95mm

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 13,25

€ 2,65 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,63

€ 3,326 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 HV STL10N60M6
Valitse pakkaustyyppi

€ 13,25

€ 2,65 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,63

€ 3,326 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 HV STL10N60M6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 2,65€ 13,25
25 - 45€ 2,50€ 12,50
50 - 120€ 2,35€ 11,75
125 - 245€ 2,20€ 11,00
250+€ 2,10€ 10,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

PowerFLAT 5 x 6 HV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

660 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5mm

Length

6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.8 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

0.95mm

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja