STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
950 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
330 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 21,50
€ 4,30 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 26,98
€ 5,396 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 21,50
€ 4,30 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 26,98
€ 5,396 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
950 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
330 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.