STMicroelectronics TIP29A NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 22,40
€ 0,448 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 28,11
€ 0,562 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 22,40
€ 0,448 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 28,11
€ 0,562 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,448 | € 22,40 |
| 100 - 450 | € 0,316 | € 15,80 |
| 500 - 950 | € 0,266 | € 13,30 |
| 1000+ | € 0,259 | € 12,95 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.