Toshiba Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.25mm
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
0.9mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 141,00
€ 0,047 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 176,96
€ 0,059 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 141,00
€ 0,047 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 176,96
€ 0,059 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,047 | € 141,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,044 | € 132,00 |
| 9000+ | € 0,04 | € 120,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.25mm
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
0.9mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.