Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 72,50
€ 1,45 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 90,99
€ 1,82 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 72,50
€ 1,45 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 90,99
€ 1,82 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.