Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L

RS tilauskoodi: 171-2481PTuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK60S06K3L
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

7mm

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,50

€ 1,30 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 8,16

€ 1,632 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 6,50
10€ 13,00
15€ 19,50
20€ 26,00
25€ 32,50
30€ 39,00
35€ 45,50
40€ 52,00
45€ 58,50
50€ 65,00
55€ 71,50
60€ 78,00
65€ 84,50
70€ 91,00
75€ 97,50

€ 6,50

€ 1,30 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 8,16

€ 1,632 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 6,50
10€ 13,00
15€ 19,50
20€ 26,00
25€ 32,50
30€ 39,00
35€ 45,50
40€ 52,00
45€ 58,50
50€ 65,00
55€ 71,50
60€ 78,00
65€ 84,50
70€ 91,00
75€ 97,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

7mm

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja