Dual N/P-Channel MOSFET, 3.7 A, 7.2 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4511DY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A, 7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ, 50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, -12 V, +12 V, +16 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Width
4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
Standardi
10
Hintaa ei saatavilla
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A, 7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ, 50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, -12 V, +12 V, +16 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Width
4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.