Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V, 3-Pin DPAK SQD10950E_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.18 Ω, 0.162 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 304,00
€ 0,652 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 636,52
€ 0,818 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 1 304,00
€ 0,652 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 636,52
€ 0,818 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.18 Ω, 0.162 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.