Diodes Inc DMP P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 8-Pin DI5060 DMP3007SPS-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
DMP
Package Type
DI5060
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Length
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Width
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.1mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 972,50
€ 0,389 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 220,49
€ 0,488 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 972,50
€ 0,389 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 220,49
€ 0,488 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
DMP
Package Type
DI5060
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Length
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Width
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.1mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.