Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 ZVN4206AV
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.77mm
Width
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.01mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,70
€ 0,67 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,41
€ 0,841 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 6,70
€ 0,67 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,41
€ 0,841 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,67 | € 6,70 |
| 50 - 190 | € 0,488 | € 4,88 |
| 200 - 990 | € 0,387 | € 3,87 |
| 1000 - 1990 | € 0,358 | € 3,58 |
| 2000+ | € 0,348 | € 3,48 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.77mm
Width
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.01mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.