Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD025N06NATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 10,80
€ 2,70 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 13,55
€ 3,388 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
4
€ 10,80
€ 2,70 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 13,55
€ 3,388 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.