Infineon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L12ATMA2

RS tilauskoodi: 218-3045Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD50N06S4L12ATMA2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 18,38

€ 0,919 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 23,07

€ 1,153 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L12ATMA2
Valitse pakkaustyyppi

€ 18,38

€ 0,919 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 23,07

€ 1,153 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L12ATMA2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
20 - 80€ 0,919€ 18,38
100 - 180€ 0,718€ 14,36
200 - 480€ 0,671€ 13,42
500 - 980€ 0,624€ 12,48
1000+€ 0,579€ 11,58

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja