Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1

RS tilauskoodi: 218-3060Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPG20N10S436AATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.036 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 8,67

€ 0,867 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,88

€ 1,088 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 8,67

€ 0,867 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,88

€ 1,088 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.036 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja