STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150

RS tilauskoodi: 761-0639Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW9N150
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Series

MDmesh

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

320 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

89.3 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

20.15mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,90

€ 10,90 kpl (ilman ALV)

€ 13,68

€ 13,68 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150
Valitse pakkaustyyppi

€ 10,90

€ 10,90 kpl (ilman ALV)

€ 13,68

€ 13,68 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 10,90
5 - 9€ 10,40
10 - 24€ 9,40
25 - 49€ 8,50
50+€ 8,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Series

MDmesh

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

320 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

89.3 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

20.15mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja