Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON CSD16340Q3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
NexFET
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 395,00
€ 0,558 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 750,72
€ 0,70 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 1 395,00
€ 0,558 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 750,72
€ 0,70 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
NexFET
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.