Toshiba TK N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK100E08N1

RS tilauskoodi: 796-5077Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK100E08N1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

214 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,50

€ 3,50 kpl (ilman ALV)

€ 4,39

€ 4,39 kpl (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK100E08N1
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,50

€ 3,50 kpl (ilman ALV)

€ 4,39

€ 4,39 kpl (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK100E08N1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 3,50
10 - 19€ 3,35
20 - 49€ 3,15
50 - 249€ 2,80
250+€ 2,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

214 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja