NXP PHE13009 NPN Transistor, 12 A, 700 V, 3-Pin TO-220AB
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
700 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Operating Frequency
60 Hz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.3 x 4.5 x 15.8mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Tuotetiedot
High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,41
€ 0,941 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 11,81
€ 1,181 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
€ 9,41
€ 0,941 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 11,81
€ 1,181 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,941 | € 4,70 |
| 25 - 45 | € 0,867 | € 4,34 |
| 50 - 95 | € 0,798 | € 3,99 |
| 100+ | € 0,648 | € 3,24 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
700 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Operating Frequency
60 Hz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.3 x 4.5 x 15.8mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Tuotetiedot
High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.