Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
BournsMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
416 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Configuration
Single Diode
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 10,80
€ 5,40 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 13,55
€ 6,777 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 10,80
€ 5,40 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 13,55
€ 6,777 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,40 | € 10,80 |
| 10 - 48 | € 4,90 | € 9,80 |
| 50 - 98 | € 4,60 | € 9,20 |
| 100 - 248 | € 4,00 | € 8,00 |
| 250+ | € 3,95 | € 7,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
BournsMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
416 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Configuration
Single Diode
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.