Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 ZXM61N02FTA
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 33,60
€ 0,224 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 42,17
€ 0,281 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
150
€ 33,60
€ 0,224 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 42,17
€ 0,281 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
150
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,224 | € 5,60 |
| 750 - 1475 | € 0,219 | € 5,48 |
| 1500+ | € 0,214 | € 5,35 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.