Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126H6327XTSA2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
SOT-23
Series
SIPMOS®
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 8,32
€ 0,333 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,44
€ 0,418 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 8,32
€ 0,333 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,44
€ 0,418 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
SOT-23
Series
SIPMOS®
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.