Infineon 600V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET, 112 A, 600 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R020CFD7XTMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
600V CoolMOS
Package Type
PG-HDSOP-22
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
22
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 13 425,00
€ 17,90 1 kpl (750 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 16 848,38
€ 22,464 1 kpl (750 kpl/kela) (Sis ALV:n)
750
€ 13 425,00
€ 17,90 1 kpl (750 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 16 848,38
€ 22,464 1 kpl (750 kpl/kela) (Sis ALV:n)
750
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
600V CoolMOS
Package Type
PG-HDSOP-22
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
22
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.