Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 100 A, 150 V, 3-Pin TO-220 IPP075N15N3GXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
TO-220
Series
OptiMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.57mm
Length
10.36mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
11.17mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 10,60
€ 5,30 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 13,30
€ 6,652 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 10,60
€ 5,30 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 13,30
€ 6,652 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,30 | € 10,60 |
| 10 - 18 | € 5,00 | € 10,00 |
| 20 - 48 | € 4,35 | € 8,70 |
| 50 - 98 | € 4,05 | € 8,10 |
| 100+ | € 3,75 | € 7,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
TO-220
Series
OptiMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.57mm
Length
10.36mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
11.17mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.