P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9317PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.99mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 4.5 V, 61 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.98mm
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.57mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 20,95
€ 0,419 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 26,29
€ 0,526 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
50
€ 20,95
€ 0,419 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 26,29
€ 0,526 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Putki)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,419 | € 4,19 |
| 100 - 190 | € 0,376 | € 3,76 |
| 200 - 490 | € 0,331 | € 3,31 |
| 500+ | € 0,298 | € 2,98 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.99mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 4.5 V, 61 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.98mm
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.57mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.