Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 343 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRLB3034PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
343 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220AB
Series
HEXFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 4.5 V
Width
4.83mm
Transistor Material
Si
Height
9.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 5,90
€ 2,95 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,40
€ 3,702 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 5,90
€ 2,95 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,40
€ 3,702 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,95 | € 5,90 |
| 20 - 48 | € 2,65 | € 5,30 |
| 50 - 98 | € 2,50 | € 5,00 |
| 100 - 198 | € 2,35 | € 4,70 |
| 200+ | € 2,15 | € 4,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
343 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220AB
Series
HEXFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 4.5 V
Width
4.83mm
Transistor Material
Si
Height
9.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.