Nexperia N-Channel MOSFET, 1.05 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSH105,215
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.05 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 309,00
€ 0,103 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 387,80
€ 0,129 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 309,00
€ 0,103 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 387,80
€ 0,129 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.05 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.