onsemi 1000V 4A, Silicon Junction Diode, 2-Pin Case 267-05 MUR4100E
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMounting Type
Through Hole
Package Type
Case 267-05
Maximum Continuous Forward Current
4A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diode Configuration
Stud Cathode
Rectifier Type
Switching
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
1.85V
Number of Elements per Chip
1
Peak Reverse Recovery Time
100ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
70A
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMounting Type
Through Hole
Package Type
Case 267-05
Maximum Continuous Forward Current
4A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diode Configuration
Stud Cathode
Rectifier Type
Switching
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
1.85V
Number of Elements per Chip
1
Peak Reverse Recovery Time
100ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
70A
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.