onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 8-Pin ECH ECH8661-TL-H
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A, 7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
ECH
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ, 39 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.9mm
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 22,02
€ 0,881 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 27,64
€ 1,106 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 22,02
€ 0,881 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 27,64
€ 1,106 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,881 | € 22,02 |
| 100 - 225 | € 0,76 | € 19,00 |
| 250+ | € 0,659 | € 16,48 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A, 7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
ECH
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ, 39 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.9mm
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.