ROHM RU1C001UN N-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C001UNTCL

RS tilauskoodi: 124-6834Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: RU1C001UNTCL
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-323

Series

RU1C001UN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

18 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Maximum Power Dissipation

150 mW

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.35mm

Length

2.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1mm

Alkuperämaa

Thailand

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,80

€ 0,072 1 kpl (150 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 13,55

€ 0,09 1 kpl (150 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

ROHM RU1C001UN N-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C001UNTCL

€ 10,80

€ 0,072 1 kpl (150 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 13,55

€ 0,09 1 kpl (150 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

ROHM RU1C001UN N-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C001UNTCL
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-323

Series

RU1C001UN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

18 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Maximum Power Dissipation

150 mW

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.35mm

Length

2.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1mm

Alkuperämaa

Thailand

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja