STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

RS tilauskoodi: 215-220Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT012H90G3AG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 70,00

€ 70,00 kpl (ilman ALV)

€ 87,85

€ 87,85 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
Valitse pakkaustyyppi

€ 70,00

€ 70,00 kpl (ilman ALV)

€ 87,85

€ 87,85 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 70,00
10+€ 63,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja