STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCT10N120
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
Hip247
Series
SCT
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.58 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 249,00
€ 8,30 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 312,50
€ 10,416 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 249,00
€ 8,30 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 312,50
€ 10,416 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
Hip247
Series
SCT
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.58 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.