STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3

RS tilauskoodi: 795-9000Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STD65N55F3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

STripFET F3

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 11,25

€ 2,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,12

€ 2,824 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 11,25
10€ 22,50
15€ 33,75
20€ 45,00
25€ 56,25
30€ 67,50
35€ 78,75
40€ 90,00
45€ 101,25
50€ 112,50
55€ 123,75
60€ 135,00
65€ 146,25
70€ 157,50
75€ 168,75

€ 11,25

€ 2,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,12

€ 2,824 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 11,25
10€ 22,50
15€ 33,75
20€ 45,00
25€ 56,25
30€ 67,50
35€ 78,75
40€ 90,00
45€ 101,25
50€ 112,50
55€ 123,75
60€ 135,00
65€ 146,25
70€ 157,50
75€ 168,75

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

STripFET F3

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja