STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7

RS tilauskoodi: 786-3741PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STL60N10F7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

STripFET H7

Package Type

PowerFLAT 5 x 6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5.4mm

Width

6.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.95mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,70

€ 0,94 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 5,90

€ 1,18 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 4,70
10€ 9,40
15€ 14,10
20€ 18,80
25€ 23,50
30€ 28,20
35€ 32,90
40€ 37,60
45€ 42,30
50€ 47,00
55€ 51,70
60€ 56,40
65€ 61,10
70€ 65,80
75€ 70,50

€ 4,70

€ 0,94 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 5,90

€ 1,18 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 4,70
10€ 9,40
15€ 14,10
20€ 18,80
25€ 23,50
30€ 28,20
35€ 32,90
40€ 37,60
45€ 42,30
50€ 47,00
55€ 51,70
60€ 56,40
65€ 61,10
70€ 65,80
75€ 70,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

STripFET H7

Package Type

PowerFLAT 5 x 6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5.4mm

Width

6.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.95mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja