Toshiba TK090N65Z Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK090N65Z,S1F(S

RS tilauskoodi: 206-9726Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK090N65Z,S1F(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

TK090N65Z

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 15,40

€ 7,70 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 19,33

€ 9,664 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TK090N65Z Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK090N65Z,S1F(S

2

Pakkauskoko 2
2€ 15,40
4€ 30,80
6€ 46,20
8€ 61,60
10€ 77,00
12€ 92,40
14€ 107,80
16€ 123,20
18€ 138,60
20€ 154,00
22€ 169,40
24€ 184,80
26€ 200,20
28€ 215,60
30€ 231,00

€ 15,40

€ 7,70 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 19,33

€ 9,664 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TK090N65Z Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK090N65Z,S1F(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2

Pakkauskoko 2
2€ 15,40
4€ 30,80
6€ 46,20
8€ 61,60
10€ 77,00
12€ 92,40
14€ 107,80
16€ 123,20
18€ 138,60
20€ 154,00
22€ 169,40
24€ 184,80
26€ 200,20
28€ 215,60
30€ 231,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

TK090N65Z

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja