Toshiba N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK10A60W,S4VX(M
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,25
€ 1,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,84
€ 1,569 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 6,25
€ 1,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,84
€ 1,569 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,25 | € 6,25 |
| 25 - 45 | € 0,798 | € 3,99 |
| 50 - 120 | € 0,776 | € 3,88 |
| 125 - 245 | € 0,758 | € 3,79 |
| 250+ | € 0,736 | € 3,68 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.