Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK20J60W,S1VQ(O
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-3PN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 145,00
€ 5,80 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 181,98
€ 7,279 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
€ 145,00
€ 5,80 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 181,98
€ 7,279 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-3PN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.