Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3

RS tilauskoodi: 178-3877PTuotemerkki: Vishay SiliconixValmistajan osanumero.: SQ2364EES-T1_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 40,30

€ 0,403 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 50,58

€ 0,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 25.

Tuotanto -

Pakkauskoko 25.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

100

Pakkauskoko 25
100€ 40,30
125€ 50,38
150€ 60,45
175€ 70,52
200€ 80,60
225€ 90,68
250€ 100,75
275€ 110,82
300€ 120,90
325€ 130,98
350€ 141,05
375€ 151,12
400€ 161,20
425€ 171,28
450€ 181,35

€ 40,30

€ 0,403 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 50,58

€ 0,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 25.

Tuotanto -

Pakkauskoko 25.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

100

Pakkauskoko 25
100€ 40,30
125€ 50,38
150€ 60,45
175€ 70,52
200€ 80,60
225€ 90,68
250€ 100,75
275€ 110,82
300€ 120,90
325€ 130,98
350€ 141,05
375€ 151,12
400€ 161,20
425€ 171,28
450€ 181,35

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 475€ 0,403€ 10,08
500 - 975€ 0,336€ 8,40
1000+€ 0,286€ 7,15

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja